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晶體管 IRFU4510PBF MOSFET
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  • 發(fā)布日期: 2018年06月22日
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類型分立半導(dǎo)體產(chǎn)品  
IRFU4510PBF介紹:
描述 MOSFET N CH 100V 56A IPAK
對無鉛要求的達標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 26 周
詳細描述 通孔 N 溝道 100V 56A(Tc) 143W(Tc) IPAK(TO-251)
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 56A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 13.9 毫歐 @ 38A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 81nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 3031pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 143W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 IPAK(TO-251)
封裝/外殼 TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA


在控制電器和機械方面,晶體管電路也正在取代電機設(shè)備,因為它通常是更便宜,更有效地僅僅使用標(biāo)準(zhǔn)集成電路并編寫計算機程序來完成同樣的機械任務(wù),使用電子控制,而不是設(shè)計一個等效的機械控制。

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