SI2369DS-T1-GE3介紹：
描述 MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 22 周
詳細描述 表面貼裝 P 溝道 30V 7.6A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） TO-236
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay SilIConix
系列 TrenchFET?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 7.6A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 29 毫歐 @ 5.4A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 36nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1295pF @ 15V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.25W（Ta），2.5W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 TO-236
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
晶體管的低成本，靈活性和可靠性使得其成為非機械任務的通用器件，例如數(shù)字計算。在控制電器和機械方面，晶體管電路也正在取代電機設備，因為它通常是更便宜，更有效地僅僅使用標準集成電路并編寫計算機程序來完成同樣的機械任務，使用電子控制，而不是設計一個等效的機械控制。
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