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TN2124K1-G介紹:
描述 MOSFET N-CH 240V 0.134A SOT23-3
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)(MSL) 1(無(wú)限)
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 240V 134mA(Tj) 360mW(Tc) TO-236AB(SOT23)
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 MICrochip Technology
系列 -
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類(lèi)型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 240V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 134mA(Tj)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 3V,4.5V
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 15 歐姆 @ 120mA,4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 50pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 360mW(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類(lèi)型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 TO-236AB(SOT23)
封裝/外殼 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
直到電壓增大到能引起一個(gè)電子電荷的變化時(shí),才有電流通過(guò)。因此電流-電壓關(guān)系不是通常的直線關(guān)系,而是臺(tái)階形的。這個(gè)實(shí)驗(yàn)在歷史上第一次實(shí)現(xiàn)了用人工控制一個(gè)電子的運(yùn)動(dòng),為制造單電子晶體管提供了實(shí)驗(yàn)依據(jù)。
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