FDB2572介紹：
描述 MOSFET N-CH 150V 29A TO-263AB
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 5 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 150V 4A（Ta），29A（Tc） 135W（Tc） TO-236AB
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON SemIConductor
系列 PowerTrench?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 150V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 4A（Ta），29A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 54 毫歐 @ 9A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 34nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 135W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 TO-236AB
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
晶體管在電路最常用的用途應(yīng)該是屬于信號放大這一方面，其次是阻抗匹配、信號轉(zhuǎn)換等，晶體管在電路中是個很重要的元件，許多精密的組件主要都是由晶體管制成的。
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