BSC009NE2LS介紹：
描述 MOSFET N-CH 25V 41A 8TDSON
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 25V 41A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），74W（Tc） PG-TDSON-8
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 25V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 41A（Ta），100A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 0.9 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 57nC @ 10V
Vgs（最大值） ±16V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 3900pF @ 12V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），74W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 PG-TDSON-8
封裝/外殼 8-PowerTDFN
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)(如Relay、switch)不同，晶體管利用電訊號來控制自身的開合，而且開關(guān)速度可以非?？?，實驗室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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