以下是,F(xiàn)DT434P,型號:FDT434P 廠家:ON Semiconductor 批號:18+ 封裝:SOT-223-4 ,請點擊“詢價”

,F(xiàn)DT434P

  • 當(dāng) 前 價: -
  • 最小起訂: -pcs
  • 供貨總量: -pcs
  • 點此詢價
  • 發(fā) 貨 期: 7 天內(nèi)發(fā)貨
  • 所 在 地: 廣東 深圳市 福田區(qū)
  • 發(fā)布日期: 2018年08月11日
深圳市柏新電子科技有限公司進入企業(yè)網(wǎng)站查看聯(lián)系方式
  • 聯(lián)系人:林小姐//方先生 (女士) QQ 2851099673MSN:gdszfang@hotmail.com
  • 電話:0755-88377780/010-58488628
  • 傳真:-
  • 郵件:2851099673@qq.com
  • 地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處:北京海春路中發(fā)大廈60淀區(qū)知
型號FDT434P廠家ON
批號18+封裝SOT-223-4
描述:MOSFET P-CH 20V 6A SOT-223
系列:PowerTrench?
FET 類型:P 溝道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 20V 
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):6A(Ta)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值):50 毫歐 @ 6A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值):19nC @ 4.5V
Vgs(最大值):±8V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1187pF @ 10V
功率耗散(最大值):3W(Ta)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

全新原裝 正品現(xiàn)貨 深圳市柏新電子科技有限公司 聯(lián)系人:陳小姐 聯(lián)系方式:0755-61352209/QQ2851099672/13926551329
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
免責(zé)聲明: 以上所展示的信息由企業(yè)自行提供,內(nèi)容的真實性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布企業(yè)負責(zé)。買賣IC網(wǎng)對此不承擔(dān)任何保證責(zé)任。
以上是,F(xiàn)DT434P,型號:FDT434P 廠家:ON Semiconductor 批號:18+ 封裝:SOT-223-4的信息
由北京輝創(chuàng)互動信息技術(shù)有限公司獨家運營
粵ICP備14064281號 客服群:4031849 交流群:4031839 商務(wù)合作:QQ 775851086