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晶體管 PDTC114TM 雙極 (BJT) - 單
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,晶體管 PDTC114TM 雙極 (BJT) - 單

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  • 所 在 地: 廣東 深圳市 寶安區(qū)
  • 發(fā)布日期: 2018年08月15日
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類型分立半導(dǎo)體產(chǎn)品  
PDTC114TM介紹:

描述 TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883

制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 8 周

詳細(xì)描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount DFN1006-3

類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - 雙極 (BJT) - 單,預(yù)偏置

制造商 Nexperia USA Inc.

系列 -

包裝   帶卷(TR)

零件狀態(tài) 在售

晶體管類型 NPN - 預(yù)偏壓

電流 - 集電極(IC)(最大值) 100mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值) 50V

電阻器 - 基底(R1) 10 kOhms

不同 Ic,Vce 時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值) 200 @ 1mA,5V

不同 Ib,Ic 時(shí)的 Vce 飽和值(最大值) 150mV @ 500μA,10mA

電流 - 集電極截止(最大值) 1μA

功率 - 最大值 250mW

安裝類型 表面貼裝

封裝/外殼 SC-101,SOT-883

供應(yīng)商器件封裝 DFN1006-3

基本零件編號(hào) PDTC114


晶體管在使用上有許多要注意的最大額定值,例如最大電壓、最大電流、最大功率。在超額的狀態(tài)下使用,晶體管內(nèi)部的結(jié)構(gòu)會(huì)被破壞。每種型號(hào)的晶體管還有特有的特性,像是直流放大率hfe、NF噪訊比等,可以借由晶體管規(guī)格表或是Data Sheet得知。



恩智浦(NXP)自2006年9月1日起,成為全球半導(dǎo)體市場的獨(dú)立領(lǐng)導(dǎo)廠商之一。名稱中蘊(yùn)含著 "新的體驗(yàn)"(Next Experience)的意義,稟承英文品牌的精神, 中文名稱中的"浦"字,強(qiáng)調(diào)恩智浦累積過去在飛利浦53年以來的珍貴經(jīng)驗(yàn)與豐富資源。

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