PDTC114TM介紹:
描述 TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 8 周
詳細(xì)描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount DFN1006-3
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - 雙極 (BJT) - 單,預(yù)偏置
制造商 Nexperia USA Inc.
系列 -
包裝 帶卷(TR)
零件狀態(tài) 在售
晶體管類型 NPN - 預(yù)偏壓
電流 - 集電極(IC)(最大值) 100mA
電壓 - 集射極擊穿(最大值) 50V
不同 Ic,Vce 時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值) 200 @ 1mA,5V
不同 Ib,Ic 時(shí)的 Vce 飽和值(最大值) 150mV @ 500μA,10mA
電流 - 集電極截止(最大值) 1μA
功率 - 最大值 250mW
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 SC-101,SOT-883
供應(yīng)商器件封裝 DFN1006-3
基本零件編號(hào) PDTC114
晶體管在使用上有許多要注意的最大額定值,例如最大電壓、最大電流、最大功率。在超額的狀態(tài)下使用,晶體管內(nèi)部的結(jié)構(gòu)會(huì)被破壞。每種型號(hào)的晶體管還有特有的特性,像是直流放大率hfe、NF噪訊比等,可以借由晶體管規(guī)格表或是Data Sheet得知。
恩智浦(NXP)自2006年9月1日起,成為全球半導(dǎo)體市場的獨(dú)立領(lǐng)導(dǎo)廠商之一。名稱中蘊(yùn)含著 "新的體驗(yàn)"(Next Experience)的意義,稟承英文品牌的精神, 中文名稱中的"浦"字,強(qiáng)調(diào)恩智浦累積過去在飛利浦53年以來的珍貴經(jīng)驗(yàn)與豐富資源。
免責(zé)聲明: 以上所展示的信息由企業(yè)自行提供,內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布企業(yè)負(fù)責(zé)。買賣IC網(wǎng)對(duì)此不承擔(dān)任何保證責(zé)任。
以上是,晶體管 PDTC114TM 雙極 (BJT) - 單,類型:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的信息