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存儲(chǔ)器 IS41LV16100C-50TLI 集成電路
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  • 所 在 地: 廣東 深圳市 寶安區(qū)
  • 發(fā)布日期: 2018年09月05日
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類型集成電路(IC)  
IS41LV16100C-50TLI介紹:

描述 IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II

詳細(xì)描述 DRAM - EDO 存儲(chǔ)器 IC 16Mb (1M x 16) 并聯(lián) 25ns 44-TSOP II

類別 集成電路(IC)

存儲(chǔ)器

制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列 -

包裝  托盤  

零件狀態(tài) 在售

存儲(chǔ)器類型 易失

存儲(chǔ)器格式 DRAM

技術(shù) DRAM - EDO

存儲(chǔ)容量 16Mb (1M x 16)

寫周期時(shí)間 - 字,頁(yè) -

訪問時(shí)間 25ns

存儲(chǔ)器接口 并聯(lián)

電壓 - 電源 3 V ~ 3.6 V

工作溫度 -40°C ~ 85°C(TA)

安裝類型 表面貼裝

封裝/外殼 44-TSOP(0.400",10.16mm 寬)

供應(yīng)商器件封裝 44-TSOP II


計(jì)算機(jī)中處理的各種字符,例如英文字母、運(yùn)算符號(hào)等,也要轉(zhuǎn)換成二進(jìn)制代碼才能存儲(chǔ)和操作。假設(shè)一個(gè)地址碼由20位二進(jìn)制數(shù)(即5位十六進(jìn)制數(shù))組成,則可表示2的20次方,即1M個(gè)存儲(chǔ)單元地址。每個(gè)存儲(chǔ)單元存放一個(gè)字節(jié),則該的存儲(chǔ)容量為1MB。



ISSI 是Integrated Silicon Solution, Inc.縮寫。1988年成立,專門設(shè)計(jì)、開發(fā)、銷售高性能存儲(chǔ)半導(dǎo)體產(chǎn)品,用于Internet存儲(chǔ)器件、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、遠(yuǎn)程通訊和移動(dòng)通訊設(shè)備、計(jì)算機(jī)外設(shè)等。

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