STL36N55M5介紹：
描述 MOSFET N-CH 550V 22.5A 4PWRFLAT
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 42 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 550V 22.5A（Tc） 2.8W（Ta），150W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 STMICroelectronics
系列 MDmesh? V
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 550V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 22.5A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 90 毫歐 @ 16.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 62nC @ 10V
Vgs（最大值） ±25V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 2670pF @ 100V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.8W（Ta），150W（Tc）
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 PowerFlat?（8x8） HV
封裝/外殼 8-PowerVDFN
晶體管的低成本，靈活性和可靠性使得其成為非機(jī)械任務(wù)的通用器件，例如數(shù)字計(jì)算。在控制電器和機(jī)械方面，晶體管電路也正在取代電機(jī)設(shè)備，因?yàn)樗ǔＪ歉阋耍行У貎H僅使用標(biāo)準(zhǔn)集成電路并編寫計(jì)算機(jī)程序來完成同樣的機(jī)械任務(wù)，使用電子控制，而不是設(shè)計(jì)一個等效的機(jī)械控制。
由于應(yīng)用程序保存在閃存內(nèi)，卡制造商無需再支付ROM掩模成本;此外，因?yàn)橹恍鑼?shí)現(xiàn)最終客戶需要的功能，而不必設(shè)計(jì)一個標(biāo)準(zhǔn)解決方案，應(yīng)用軟件本身可以寫得更小。ST的片上閃存裝載器提供一個成本低廉的操作系統(tǒng)裝載功能。
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