IRF6636TRPBF介紹：
描述 MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 20V 18A（Ta），81A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? ST
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 18A（Ta），81A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 4.5 毫歐 @ 18A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2.45V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 27nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 2420pF @ 10V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.2W（Ta），42W（Tc）
工作溫度 -40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 DIRECTFET? ST
封裝/外殼 DirectFET? 等容 ST
金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。
Infineon公司是全球十大半導(dǎo)體制造商之一。1999年5月1日，西門子半導(dǎo)體公司正式更名為Infineon，總部設(shè)在德國慕尼黑。主要生產(chǎn)汽車和工業(yè)電子芯片、保密及IC卡應(yīng)用IC、通訊多媒體芯片、存儲(chǔ)器件等。1998年Infineon公司是全球十大半導(dǎo)體制造商之一。
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