FDS8880介紹：
描述 MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 26 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 30V 11.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 11.6A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 10 毫歐 @ 11.6A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 30nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1235pF @ 15V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 8-SO
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
在雙極性晶體管中，射極到基極的很小的電流，會使得發(fā)射極到集電極之間，產(chǎn)生大電流；在場效應(yīng)晶體管中，在柵極施加小電壓，來控制源極和泄極之間的電流。
ON Semiconductor -ON Semiconductor (Nasdaq: ON) 推動能效創(chuàng)新，幫助客戶減少總體能源使用。 公司提供種類全面的產(chǎn)品組合，具體包括高能效電源和信號管理、邏輯、分立和定制解決方案，能幫助設(shè)計工程師解決在汽車、通信、計算、消費電子、工業(yè)、LED 照明、醫(yī)療、軍事/航空航天和電源應(yīng)用方面的獨特設(shè)計難題。
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