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晶體管 SI7288DP-T1-GE3 MOSFET
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,晶體管 SI7288DP-T1-GE3 MOSFET

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  • 發(fā)布日期: 2018年09月21日
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類型分立半導(dǎo)體產(chǎn)品  
SI7288DP-T1-GE3介紹:

描述 MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8

制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 27 周

詳細描述 2 個 N 溝道(雙) Mosfet 陣列 40V 20A 15.6W 表面貼裝 PowerPAK? SO-8 Dual

類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET,MOSFET - 陣列

制造商 Vishay SilIConix

系列 TrenchFET?

包裝   帶卷(TR)

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 2 個 N 溝道(雙)

FET 功能 標(biāo)準(zhǔn)

漏源電壓(Vdss) 40V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 20A

不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 19 毫歐 @ 10A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 565pF @ 20V

功率 - 最大值 15.6W

工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型 表面貼裝

封裝/外殼 PowerPAK? SO-8 雙

供應(yīng)商器件封裝 PowerPAK? SO-8 Dual

基本零件編號 SI7288


晶體管實際上是所有現(xiàn)代電器的關(guān)鍵活動(active)元件。晶體管在當(dāng)今社會的重要性主要是因為晶體管可以使用高度自動化的過程進行大規(guī)模生產(chǎn)的能力,因而可以不可思議地達到極低的單位成本。



威世隨后采取了一些較小規(guī)模的對無源元件制造廠商的收購。 在2000年收購了伊萊克芬(Electro-Films)、思拉麥特(Cera-Mite)和思伯喬(Spectrol),在2001年收購了銓斯特(Tansitor)和北美電容器公司(馬洛里)【North American Capacitor Company (Mallory) 】。

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