UM6K1NTN介紹：
描述 MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363
詳細(xì)描述 2 個 N 溝道（雙） Mosfet 陣列 30V 100mA 150mW 表面貼裝 UMT6
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 Rohm SemIConductor
系列 -
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 不適用於新設(shè)計
FET 類型 2 個 N 溝道（雙）
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 100mA
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 8 歐姆 @ 10mA，4V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 100μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） -
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 13pF @ 5V
功率 - 最大值 150mW
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應(yīng)商器件封裝 UMT6
基本零件編號 *K1
晶體管的低成本，靈活性和可靠性使得其成為非機械任務(wù)的通用器件，例如數(shù)字計算。在控制電器和機械方面，晶體管電路也正在取代電機設(shè)備，因為它通常是更便宜，更有效地僅僅使用標(biāo)準(zhǔn)集成電路并編寫計算機程序來完成同樣的機械任務(wù)，使用電子控制，而不是設(shè)計一個等效的機械控制。晶體管被認(rèn)為是現(xiàn)代歷史中最偉大的發(fā)明之一
羅姆作為第一家進(jìn)入美國硅谷的日本企業(yè)，在硅谷開設(shè)了IC設(shè)計中心。以當(dāng)時的企業(yè)規(guī)模，憑借被稱為"超常思維"的創(chuàng)新理念，加之年輕的、充滿夢想和激情的員工的艱苦奮斗，羅姆迅速發(fā)展。今天作為業(yè)內(nèi)慣例被其它公司所接受。
免責(zé)聲明： 以上所展示的信息由企業(yè)自行提供，內(nèi)容的真實性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布企業(yè)負(fù)責(zé)。買賣IC網(wǎng)對此不承擔(dān)任何保證責(zé)任。
以上是，晶體管 UM6K1NTN MOSFET - 陣列 ，類型:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的信息