IRLMS6802TR介紹：
描述 MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP 復(fù)制 MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP
詳細(xì)描述 表面貼裝 P 溝道 20V 5.6A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 5.6A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 50 毫歐 @ 5.1A，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 16nC @ 5V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 1079pF @ 10V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2W（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 Micro6?（TSOP-6）
封裝/外殼 SOT-23-6
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個(gè)極性，柵極，漏極，源極，它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高，采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。
主要生產(chǎn)汽車和工業(yè)電子芯片、保密及IC卡應(yīng)用IC、通訊多媒體芯片、存儲(chǔ)器件等。1998年Infineon公司是全球十大半導(dǎo)體制造商之一。該公司在全球亞、歐、美三大洲5個(gè)國(guó)家擁有10個(gè)制造工廠，在九個(gè)國(guó)家設(shè)有16個(gè)研發(fā)中心，1998年員工約25,000人，主要合作伙伴有Motorola、IBM、MoselVitelic等。
免責(zé)聲明： 以上所展示的信息由企業(yè)自行提供，內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布企業(yè)負(fù)責(zé)。買賣IC網(wǎng)對(duì)此不承擔(dān)任何保證責(zé)任。
以上是，晶體管 IRLMS6802TR FET，類型:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的信息