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比較器 LM311DR 集成電路
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  • 發(fā)布日期: 2018年09月27日
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類型集成電路(IC)  
LM311DR介紹:

描述 IC DIFF COMP STROBE 8-SOIC

制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 8 周

詳細(xì)描述 通用 比較器 MOS,開路集電極,開路發(fā)射極,TTL 8-SOIC

類別 集成電路(IC)

線性 - 比較器

制造商 Texas Instruments

系列 -

包裝    帶卷(TR)  

零件狀態(tài) 在售

類型 通用

元件數(shù) 1

輸出類型 MOS,開路集電極,開路發(fā)射極,TTL

電壓 - 電源,單/雙(±) 3.5 V ~ 30 V,±1.75 V ~ 15 V

電壓 - 輸入失調(diào)(最大值) 7.5mV @ ±15V

電流 - 輸入偏置(最大值) 0.25μA @ ±15V

電流 - 輸出(典型值) -

電流 - 靜態(tài)(最大值) 7.5mA

CMRR,PSRR(典型值) -

傳播延遲(最大值) -

滯后 -

工作溫度 0°C ~ 70°C

封裝/外殼 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

安裝類型 表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 8-SOIC

基本零件編號(hào) LM311


比較器經(jīng)過調(diào)節(jié)可以提供極小的時(shí)間延遲,但其頻響特性會(huì)受到一定限制。為避免輸出振蕩,許多比較器還帶有內(nèi)部滯回電路。比較器的閾值是固定的,有的只有一個(gè)閾值,有的具有兩個(gè)閾值。



2011年4月5日,德州儀器(TI)和美國國家半導(dǎo)體(NS)宣布簽署合并協(xié)議,TI將以25美元/股、總額約65億美元的現(xiàn)金價(jià)格,收購國家半導(dǎo)體。本次收購將使業(yè)界共同致力于解決客戶模擬問題的兩個(gè)領(lǐng)導(dǎo)者實(shí)現(xiàn)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手。

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