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晶體管 HGTG11N120CND MOSFET - 單
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，晶體管 HGTG11N120CND MOSFET - 單

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  • 發(fā)布日期： 2018年09月29日
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類型分立半導(dǎo)體產(chǎn)品  
HGTG11N120CND介紹：

描述 IGBT 1200V 43A 298W TO247

詳細描述 IGBT NPT 1200V 43A 298W Through Hole TO-247

類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - UGBT，MOSFET - 單

制造商 ON SemIConductor

系列 -

包裝    管件  

零件狀態(tài) 不適用於新設(shè)計

IGBT 類型 NPT

電壓 - 集射極擊穿（最大值） 1200V

電流 - 集電極（Ic）（最大值） 43A

脈沖電流 - 集電極 (Icm) 80A

不同 Vge，Ic 時的 Vce（on） 2.4V @ 15V，11A

功率 - 最大值 298W

開關(guān)能量 950μJ（開），1.3mJ（關(guān)）

輸入類型 標準

柵極電荷 100nC

25°C 時 Td（開/關(guān)）值 23ns/180ns

測試條件 960V，11A，10 歐姆，15V

反向恢復(fù)時間（trr） 70ns

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 通孔

封裝/外殼 TO-247-3

供應(yīng)商器件封裝 TO-247

晶體管實際上是所有現(xiàn)代電器的關(guān)鍵活動（active）元件。晶體管在當今社會的重要性主要是因為晶體管可以使用高度自動化的過程進行大規(guī)模生產(chǎn)的能力，因而可以不可思議地達到極低的單位成本。



安森美半導(dǎo)體致力于推動高能效創(chuàng)新，幫助客戶減少全球能源消耗。該公司是一家領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商，其提供的全面產(chǎn)品組合包括高能效電源管理、模擬、傳感器、邏輯、計時、連接、分立、SoC以及定制器件。
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