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晶體管 SUD50P04-08-GE3 FET-MOSFET
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  • 發(fā)布日期: 2018年10月15日
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類型分立半導體產(chǎn)品  
SUD50P04-08-GE3介紹:

描述 MOSFET P-CH 40V 50A DPAK

詳細描述 表面貼裝 P 溝道 40V 50A(Tc) 2.5W(Ta),73.5W(Tc) TO-252,(D-Pak)

類別 分立半導體產(chǎn)品

晶體管 - FET,MOSFET - 單

制造商 Vishay SilIConix

系列 TrenchFET?

包裝    帶卷(TR)  

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 P 溝道

技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss) 40V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 50A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V

不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 8.1 毫歐 @ 22A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 159nC @ 10V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 5380pF @ 20V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),73.5W(Tc)

工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型 表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 TO-252,(D-Pak)

封裝/外殼 TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63


晶體管在電路最常用的用途應(yīng)該是屬于信號放大這一方面,其次是阻抗匹配、信號轉(zhuǎn)換等,晶體管在電路中是個很重要的元件,許多精密的組件主要都是由晶體管制成的。



威世接下來的半導體公司收購發(fā)生在2001年,購買了英飛凌科技(Infineon Technologies)公司的紅外線元件業(yè)務(wù)。跟著在2001年收購了全球二極管和整理器領(lǐng)先的制造商通用半導體(General Semiconductor)。

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