| 品牌 | PJ | 型號(hào) | PJM65H12NTF |
| 類別 | 直插 | 封裝形式 | TO-220F |
| 封裝材料 | 塑料封裝 | 最大整流電流 | 12 |
| 最大反向電壓 | 650 | | |
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 650V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 12A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 380 毫歐 @ 6A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 70nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 1224pF @ 100V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 33W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-220
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以上是，晶體管-FET，MOSFET-單PJM65H12NTF，品牌:PJ 型號(hào):PJM65H12NTF 類別:直插 封裝形式:TO-220F 封裝材料:塑料封裝 最大整流電流:12 最大反向電壓:650的信息