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IRF7416PBF
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  • 發(fā)布日期: 2019年03月27日
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型號(hào)IRF7416PBF廠家IR
批號(hào)19+封裝SOIC8
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 10A(Ta)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 20 毫歐 @ 5.6A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 92nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)

全新原裝 正品現(xiàn)貨
深圳市柏新電子科技有限公司
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