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IRF7303PBF正品保障公司現(xiàn)貨量大從優(yōu)IRF7303PBF
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  • 所 在 地: 北京 北京市轄區(qū) 朝陽區(qū)
  • 發(fā)布日期: 2019年05月28日
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品牌INFINEON型號IRF7303PBF
屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 4.9 A
最大漏源電壓 30 V
最大漏源電阻 50 mΩ
最大柵閾值電壓 1V
最小柵閾值電壓 1V
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
封裝類型 SOIC
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
晶體管配置 隔離式
通道模式 增強(qiáng)
類別 功率 MOSFET
最大功率耗散 2 W
每片芯片元件數(shù)目 2
寬度 4mm
最低工作溫度 -55 °C
晶體管材料 Si
尺寸 5 x 4 x 1.5mm
長度 5mm
最高工作溫度 +150 °C
典型輸入電容值@Vds 520 pF@ 25 V
系列 HEXFET
典型接通延遲時間 6.8 ns
典型關(guān)斷延遲時間 22 ns
高度 1.5mm
典型柵極電荷@Vgs 25 nC @ 10 V
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