品牌 | INFINEON | 型號(hào) | IRF7842TRPBF |
屬性 數(shù)值
通道類(lèi)型 N
最大連續(xù)漏極電流 18 A
最大漏源電壓 40 V
最大柵閾值電壓 2.25V
最小柵閾值電壓 1.35V
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
封裝類(lèi)型 SOIC
安裝類(lèi)型 表面貼裝
晶體管配置 單
引腳數(shù)目 8
通道模式 增強(qiáng)
類(lèi)別 功率 MOSFET
最大功率耗散 2.5 W
最低工作溫度 -55 °C
典型柵極電荷@Vgs 33 nC @ 4.5 V
高度 1.5mm
系列 HEXFET
典型輸入電容值@Vds 4500 pF @ 20 V 最高工作溫度 +150 °C
尺寸 5 x 4 x 1.5mm
典型關(guān)斷延遲時(shí)間 21 ns
晶體管材料 Si
典型接通延遲時(shí)間 14 ns
寬度 4mm
每片芯片元件數(shù)目 1
長(zhǎng)度 5mm
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