屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 49 A
最大漏源電壓 55 V
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
封裝類型 TO-220AB
安裝類型 通孔
晶體管配置 單
引腳數(shù)目 3
通道模式 增強(qiáng)
類別 功率 MOSFET
最大功率耗散 94 W
高度 8.77mm
系列 HEXFET
最高工作溫度 +175 °C
典型關(guān)斷延遲時(shí)間 44 ns
典型輸入電容值@Vds 1470 pF@ 25 V 典型柵極電荷@Vgs 63 nC @ 10 V
典型接通延遲時(shí)間 12 ns
晶體管材料 Si
每片芯片元件數(shù)目 1
最低工作溫度 -55 °C
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