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IRFR1205TRPBF現(xiàn)貨供應優(yōu)勢出售
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，IRFR1205TRPBF現(xiàn)貨供應優(yōu)勢出售

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  • 所 在 地： 北京 北京市轄區(qū) 朝陽區(qū)
  • 發(fā)布日期： 2019年05月29日
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  • 聯(lián)系人：洪寶宇 (先生) QQ 2881541896
  • 電話：17862669251
  • 傳真：-
  • 郵件：hongby@buyele.net
  • 地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

屬性 數(shù)值 通道類型 N 最大連續(xù)漏極電流 44 A 最大漏源電壓 55 V 最大漏源電阻值 27 mΩ 最大柵閾值電壓 4V 最小柵閾值電壓 2V 最大柵源電壓 -20 V、+20 V 封裝類型 DPAK (TO-252) 安裝類型 表面貼裝 引腳數(shù)目 3 晶體管配置 單 通道模式 增強 類別 功率 MOSFET 最大功率耗散 107 W 寬度 6.22mm 每片芯片元件數(shù)目 1 典型關斷延遲時間 47 ns 長度 6.73mm 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm 晶體管材料 Si 典型接通延遲時間 7.3 ns 最低工作溫度 -55 °C 典型輸入電容值@Vds 1300 pF @ 25 V 典型柵極電荷@Vgs 65 nC @ 10 V 高度 2.39mm 系列 HEXFET 最高工作溫度 +175 °C
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