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IRLS4030PBF現(xiàn)貨供應(yīng)優(yōu)勢(shì)出售
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  • 所 在 地: 北京 北京市轄區(qū) 朝陽區(qū)
  • 發(fā)布日期: 2019年06月04日
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品牌INFINEON型號(hào)IRLS4030PBF
屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 180 A
最大漏源電壓 100 V
最大漏源電阻 4 mΩ
最大柵閾值電壓 2.5V
最小柵閾值電壓 1V
最大柵源電壓 -16 V、+16 V
封裝類型 D2PAK (TO-263)
安裝類型 表面貼裝
晶體管配置
引腳數(shù)目 3
通道模式 增強(qiáng)
類別 功率 MOSFET
最大功率耗散 370 W
高度 4.83mm
每片芯片元件數(shù)目 1
典型接通延遲時(shí)間 74 ns
長度 10.67mm
最低工作溫度 -55 °C
最高工作溫度 +175 °C
寬度 9.65mm
晶體管材料 Si
典型柵極電荷@Vgs 87 nC @ 4.5 V
典型關(guān)斷延遲時(shí)間 110 ns
系列 HEXFET
尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm
典型輸入電容值@Vds 11360 pF@ 50 V
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