屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 17 A
最大漏源電壓 800 V
最大柵閾值電壓 3.9V
最小柵閾值電壓 2.1V
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
封裝類型 TO-220
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
晶體管配置 單
通道模式 增強(qiáng)
類別 功率 MOSFET
最大功率耗散 227 W
典型接通延遲時(shí)間 25 ns
寬度 4.57mm
最低工作溫度 -55 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
長度 10.36mm
尺寸 10.36 x 4.57 x 9.45mm
典型關(guān)斷延遲時(shí)間 72 ns
最高工作溫度 +150 °C
典型輸入電容值@Vds 2300 pF @ 100 V 典型柵極電荷@Vgs 88 nC @ 10 V
系列 CoolMOS C3
高度 9.45mm
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