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IRF5806TRPBF現(xiàn)貨供應(yīng)優(yōu)勢(shì)出售IRF5806TRPBF
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  • 發(fā) 貨 期： 7 天內(nèi)發(fā)貨
  • 所 在 地： 北京 北京市轄區(qū) 朝陽區(qū)
  • 發(fā)布日期： 2019年06月11日
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  • 聯(lián)系人：洪寶宇 (先生) QQ 2881541896
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  • 郵件：hongby@buyele.net
  • 地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈503
品牌INFINEON型號(hào)IRF5806TRPBF
屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 4 A
最大漏源電壓 20 V
最大漏源電阻值 147 mΩ
最大柵閾值電壓 1.2V
最小柵閾值電壓 0.45V
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
封裝類型 TSOP
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 6
晶體管配置 單
通道模式 增強(qiáng)
類別 功率 MOSFET
最大功率耗散 2 W
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 1.7mm
高度 1mm
系列 HEXFET
最高工作溫度 +150 °C
長(zhǎng)度 3.1mm
尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm
晶體管材料 Si
典型接通延遲時(shí)間 6.2 ns
最低工作溫度 -55 °C
典型柵極電荷@Vgs 8.3 nC @ 4.5 V
典型輸入電容值@Vds 594 pF @ -15 V
典型關(guān)斷延遲時(shí)間 94 ns
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