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IRFH7545TRPBF正品保障公司現(xiàn)貨量大從優(yōu)IRFH7545TRPBF
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  • 所 在 地： 北京 北京市轄區(qū) 朝陽區(qū)
  • 發(fā)布日期： 2019年06月12日
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型號IRFH7545TRPBF廠家INFINEON
批號18+封裝PQFN
屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 85 A
最大漏源電壓 60 V
最大漏源電阻值 5.2 mΩ
最大柵閾值電壓 3.7V
最小柵閾值電壓 2.1V
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
封裝類型 PQFN
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
晶體管配置 單
通道模式 增強
類別 功率 MOSFET
最大功率耗散 83 W
最低工作溫度 -55 °C
典型接通延遲時間 8.6 ns
寬度 5.1mm
每片芯片元件數(shù)目 1
高度 1.17mm
正向二極管電壓 1.2V
系列 HEXFET
尺寸 6.15 x 5.1 x 1.17mm
典型關(guān)斷延遲時間 43 ns
典型輸入電容值@Vds 3890 pF @ 25 V
長度 6.15mm
典型柵極電荷@Vgs 73 nC @ 10 V
正向跨導(dǎo) 140S
晶體管材料 Si
最高工作溫度 +150 °C
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