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BSZ340N08NS3GATMA1原裝正品現(xiàn)貨發(fā)售歡迎來電
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  • 所 在 地: 北京 北京市轄區(qū) 朝陽區(qū)
  • 發(fā)布日期: 2019年06月28日
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型號BSZ340N08NS3GATMA1廠家INFINEON
封裝8-PowerTDFN  
產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)
屬性數(shù)值
通道類型N
最大連續(xù)漏極電流23 A
最大漏源電壓80 V
最大漏源電阻66 mΩ
最大柵閾值電壓3.5V
最小柵閾值電壓2V
最大柵源電壓-20 V、+20 V
封裝類型TSDSON
安裝類型表面貼裝
晶體管配置
引腳數(shù)目8
通道模式增強
類別功率 MOSFET
最大功率耗散32 W
寬度3.4mm
典型接通延遲時間8 ns
典型柵極電荷@Vgs6.8 nC @ 10 V
高度1.1mm
最低工作溫度-55 °C
系列OptiMOS 3
典型輸入電容值@Vds470 pF@ 40 V
每片芯片元件數(shù)目1
長度3.4mm
尺寸3.4 x 3.4 x 1.1mm
正向二極管電壓1.2V
正向跨導16S
典型關(guān)斷延遲時間11 ns
晶體管材料Si
最高工作溫度+150 °C
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