屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 60 A
最大漏源電壓 25 V
最大柵閾值電壓 1.1V
最小柵閾值電壓 0.6V
最大柵源電壓 -8 V,+10 V
封裝類型 SON
安裝類型 表面貼裝
晶體管配置 單
引腳數(shù)目 8
通道模式 增強(qiáng)
類別 功率 MOSFET
最大功率耗散 3 W
每片芯片元件數(shù)目 1
典型關(guān)斷延遲時(shí)間 13.8 ns
寬度 3.4mm
尺寸 3.4 x 3.4 x 1.1mm
長度 3.4mm
晶體管材料 Si
典型接通延遲時(shí)間 4.8 ns
最低工作溫度 -55 °C
典型輸入電容值@Vds 1050 pF @ 12.5 V 典型柵極電荷@Vgs 6.5 nC @ 4.5 V
高度 1.1mm
系列 NexFET
最高工作溫度 +150 °C
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