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CSD17507Q5A正品保障公司現(xiàn)貨量大從優(yōu)CSD17507Q5A
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  • 所 在 地： 北京 北京市轄區(qū) 朝陽區(qū)
  • 發(fā)布日期： 2019年07月11日
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  • 聯(lián)系人：洪寶宇 (先生) QQ 2881541896
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  • 傳真：-
  • 郵件：hongby@buyele.net
  • 地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
品牌TI型號CSD17507Q5A
屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 65 A
最大漏源電壓 30 V
最大漏源電阻值 16.1 mΩ
最大柵閾值電壓 2.1V
最小柵閾值電壓 1.1V
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
封裝類型 SON
安裝類型 表面貼裝
晶體管配置 單
引腳數(shù)目 8
通道模式 增強(qiáng)
類別 功率 MOSFET
最大功率耗散 3 W
高度 1.1mm
典型柵極電荷@Vgs 2.8 nC @ 4.5 V
最高工作溫度 +150 °C
最低工作溫度 -55 °C
典型關(guān)斷延遲時(shí)間 5.7 ns
典型輸入電容值@Vds 410 pF @ 15 V
寬度 5mm
晶體管材料 Si
典型接通延遲時(shí)間 4.7 ns
長度 5.8mm
尺寸 5.8 x 5 x 1.1mm
系列 NexFET
每片芯片元件數(shù)目 1
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