| 型號 | IRFH8307TRPBF | 廠家 | Infineon/英飛凌 |
| 批號 | NA | 封裝 | PQFN5X6 |
數(shù)據(jù)列表 IRFH8307TRPbF;
標準包裝 4,000
包裝 標準卷帶
零件狀態(tài) 在售
類別 分立半導體產(chǎn)品
產(chǎn)品族 晶體管 - FET，MOSFET - 單
系列 HEXFET?，StrongIRFET?
規(guī)格
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 42A（Ta），100A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 1.3 毫歐 @ 50A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.35V @ 150μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 120nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 7200pF @ 15V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.6W（Ta），156W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 8-PQFN（5x6）
封裝/外殼 8-PowerTDFN
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