充電器方案：

典型方案	IC型號	封裝	功率管	架構(gòu)	平均效率	靜態(tài)功耗	EMI	備注
5V1A	FT839NB1	SOP8	內(nèi)置NPN	隔離PSR+肖特基	76.5%(6級)	<75mW(6級)	PASS	無Y電容
5V2A非認證	FT839ND1	SOP8	內(nèi)置NPN	隔離PSR+肖特基	79.0%(5級)	<75mW(6級)	NO	非認證/小變壓器EE13
5V2A	FT8783ND1+FT8370A	SOP7+SOP8	內(nèi)置NPN	隔離PSR+同步整流	84.0%(6級)	<75mW(6級)	PASS
5V2A非認證	FT8393ND1	SOP7	內(nèi)置NPN	隔離PSR+肖特基	81.0%(6級)	<75mW(6級)	NO	非認證/小變壓器EE13
5V2.4A	FT8393ND1+FT8370B	SOP7+SOP8	內(nèi)置NPN+內(nèi)置MOS	隔離PSR+同步整流	85.6%(6級)	<75mW(6級)	PASS
5V2.4A非認證	FT8393ND1	SOP7	內(nèi)置NPN	隔離PSR+肖特基	83.0%(6級)	<75mW(6級)	NO	非認證/小變壓器EE15
5V3A	FT8393MD1+FT8370C	SOP8+SOP8	內(nèi)置MOS+內(nèi)置MOS	隔離PSR+同步整流	85.0%(6級)	<75mW(6級)	PASS
5V3.1A	FT8393M+FT8370C	SOT23-5+SOP8	外推MOS+內(nèi)置MOS	隔離PSR+同步整流	86.0%(6級)	<75mW(6級)	PASS
5V3.4A	FT8393MDD1+FT8370C	DIP7+SOP8	內(nèi)置MOS+內(nèi)置MOS	隔離PSR+同步整流	85.6%(6級)	<75mW(6級)	PASS

5V2A特色概述

變壓器為非三明治普通繞法，僅4個繞組，可自動繞線，繞法簡單成本低；

高效率、低待機功耗: 符合DoE 6 和CoC Tier2 六級能效要求并有余量;

平均Efficiency ≥ 84.0%@115Vac/230Vac

待機功耗<75mw@230Vac

符合EMI測試標(biāo)準: EN55022/013 Class B

傳導(dǎo)/輻射PASS并有余量

恒壓精度：± 3%，恒流精度：± 3%

內(nèi)置輸出線損補償，調(diào)試簡單方便

具有輸出短路保護、欠壓鎖定、過壓保護功能 

FT8783ND1，原邊控制芯片，內(nèi)置功率管，SOP7封裝，外圍元件數(shù)量少，成本低

FT8370A，同步整流芯片，內(nèi)置MOS，SOP8封裝，外圍無需元件，空間小，成本低

電路原理圖：

效率、紋波電壓：

V-I 曲線

關(guān)鍵器件溫度測量

可以免費提供樣品，需要更多的資料可以聯(lián)系我