| 型號(hào) | FQD10N20CTM | 廠家 | FAIRCHILD/仙童 |
| 批號(hào) | NA | 封裝 | TO-252 |
數(shù)據(jù)列表 FQD/ FQU10N20C;
標(biāo)準(zhǔn)包裝 2,500
包裝 標(biāo)準(zhǔn)卷帶
零件狀態(tài) 有源
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
產(chǎn)品族 晶體管 - FET，MOSFET - 單
系列 QFET?
其它名稱 FQD10N20CTM-ND
FQD10N20CTMTR
規(guī)格
FET 類型 N 通道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 200V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 7.8A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 360 毫歐 @ 3.9A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 26nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 510pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 50W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝 D-Pak
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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