型號 | IRFP4368PBF | 廠家 | Infineon |
批號 | 21+ | 封裝 | TO-247-3 |
華芯源 IRFP4368PBF Infineon / IR MOSFET
需要的聯(lián)系 VX+wanghanwei666888
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 75 V
Id-連續(xù)漏極電流: 350 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.46 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.8 V
Qg-柵極電荷: 380 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 520 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標(biāo): Infineon / IR
配置: Single
高度: 20.7 mm
長度: 15.87 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
工廠包裝數(shù)量: 25
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 5.31 mm
零件號別名: IRFP4368PBF SP001556774
單位重量: 6 g
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