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華芯源 IRF630NPBF Infineon / IR MOSFET
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，華芯源 IRF630NPBF Infineon / IR MOSFET

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  • 發(fā)布日期： 2021年10月13日
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型號IRF630NPBF廠家Infineon/IR
批號20+封裝TO-220-3
華芯源  IRF630NPBF  Infineon / IR MOSFET

需要的聯(lián)系 VX+wanghanwei666888

制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續(xù)漏極電流: 9.3 A
Rds On-漏源導通電阻: 300 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 23.3 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 82 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標: Infineon / IR
配置: Single
下降時間: 15 ns
正向跨導 - 最小值: 4.9 S
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 14 ns
工廠包裝數(shù)量: 100
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 27 ns
典型接通延遲時間: 7.9 ns
寬度: 4.4 mm
零件號別名: IRF630NPBF SP001564792
單位重量: 2 g
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