TE28F128P30XXX

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制造商
INTEL
制造商全稱
Intel Corporation
功能描述
Intel StrataFlash Embedded Memory

TE28F128P30XXX 技術(shù)參數(shù)

TE28F128P30T85A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ TE28F128P30B85A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ TE28F128J3D75B 功能描述:IC FLASH 128MBIT 75NS 56TSOP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ TE28F128J3D75A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 75NS 56TSOP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ TE28F128J3C150SL759 功能描述:IC FLASH 128MBIT 150NS 56TSOP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8）速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤其它名稱:497-5040 TE28F256J3D95A TE28F256J3D95B TE28F256J3D95B TR TE28F256J3F105A TE28F256P30B95A TE28F256P30BFA TE28F256P30T95A TE28F256P30TFA TE28F256P33B95A TE28F256P33BFA TE28F256P33T95A TE28F256P33TFA TE28F320C3BD70 TE28F320C3TD70A TE28F320J3C110SL7H8 TE28F320J3D75A TE28F640J3C115SL7HA TE28F640J3D75A