TE300B56RJ

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功能描述
線繞電阻器 - 底架安裝 TE 300W 56R 5% Bracket
RoHS
否
制造商
Vishay/Dale
電阻
7 Ohms
容差
1 %
功率額定值
100 W
溫度系數(shù)
50 PPM / C
系列
RH
工作溫度范圍
- 55 C to + 250 C
尺寸
46.02 mm Dia. x 46.02 mm W x 88.9 mm L x 44.45 mm H
封裝
Bulk
產(chǎn)品
Power Resistors Wirewound Aluminum Housed

TE300B56RJ 技術(shù)參數(shù)

TE28F800C3BD70 功能描述:IC FLASH 8MBIT 70NS 48TSOP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8）速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤其它名稱:497-5040 TE28F640P33T85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線）電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) TE28F640P33B85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8）包裝:帶卷 (TR) TE28F640P30T85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行存儲器類型:EEPROM 存儲容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR TE28F640P30B85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8）包裝:帶卷 (TR) TE30A0502C01 TE30A0502F01 TE30A0502N01 TE30A0502Q01 TE30A0503B01 TE30A0503C01 TE30A0503F01 TE30A0503N01 TE30A0503Q01 TE30A0903B01 TE30A0903F01 TE30A1202B01 TE30A1202C01 TE30A1202F01 TE30A1202N01 TE30A1202Q01 TE30A1203B01 TE30A1203C01