TE512S32-40LI

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

TE512S32-40LI
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯(lián)系人：廖先生
電話：13612973190
地址：廣東省深圳市華強(qiáng)北上航大廈西座410室
9000
Rochester Electronics, LL
-
22+
-

TE512S32-40LI
萬三科技（深圳）有限公司
萬三科技（深圳）有限公司
聯(lián)系人：王小康
電話：181886423070755-21006672
地址：深圳市龍華區(qū)民治街道新牛社區(qū)金地梅隴鎮(zhèn)9棟4單元14C
6500000
rochester electronics
原廠原裝
22+
-
萬三科技秉承原裝實單可議

TE512S32-40LI
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號樓603室
2520
REI
原廠標(biāo)準(zhǔn)封裝
n/a
-
原裝現(xiàn)貨特價，停產(chǎn)偏冷優(yōu)勢供應(yīng)！數(shù)量需確...

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制造商
Rochester Electronics LLC
功能描述
- Bulk

TE512S32-40LI 技術(shù)參數(shù)

TE500B22RJ 功能描述:RES CHAS MNT 22 OHM 5% 500W 制造商:te connectivity amp connectors 系列:TE，CGS 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電阻（歐姆）:22 容差:±5% 功率（W）:500W 成分:繞線溫度系數(shù):±440ppm/°C 工作溫度:-25°C ~ 225°C 特性:耐燃，安全涂層，外殼類型:硅酮涂層安裝特性:支架大小/尺寸:1.969" 直徑 x 12.441" 長（50.00mm x 316.00mm）高度:- 引線形式:焊片封裝/外殼:徑向，管狀標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 TE500B220RJ 功能描述:RES CHAS MNT 220 OHM 5% 500W 制造商:te connectivity amp connectors 系列:TE，CGS 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電阻（歐姆）:220 容差:±5% 功率（W）:500W 成分:繞線溫度系數(shù):±440ppm/°C 工作溫度:-25°C ~ 225°C 特性:耐燃，安全涂層，外殼類型:硅酮涂層安裝特性:支架大小/尺寸:1.969" 直徑 x 12.441" 長（50.00mm x 316.00mm）高度:- 引線形式:焊片封裝/外殼:徑向，管狀標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 TE500B10RJ 功能描述:RES CHAS MNT 10 OHM 5% 500W 制造商:te connectivity amp connectors 系列:TE，CGS 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電阻（歐姆）:10 容差:±5% 功率（W）:500W 成分:繞線溫度系數(shù):±440ppm/°C 工作溫度:-25°C ~ 225°C 特性:耐燃，安全涂層，外殼類型:硅酮涂層安裝特性:支架大小/尺寸:1.969" 直徑 x 12.441" 長（50.00mm x 316.00mm）高度:- 引線形式:焊片封裝/外殼:徑向，管狀標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 TE500B100RJ 功能描述:RES CHAS MNT 100 OHM 5% 500W 制造商:te connectivity amp connectors 系列:TE，CGS 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電阻（歐姆）:100 容差:±5% 功率（W）:500W 成分:繞線溫度系數(shù):±440ppm/°C 工作溫度:-25°C ~ 225°C 特性:耐燃，安全涂層，外殼類型:硅酮涂層安裝特性:支架大小/尺寸:1.969" 直徑 x 12.441" 長（50.00mm x 316.00mm）高度:- 引線形式:焊片封裝/外殼:徑向，管狀標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 TE48F4400P0VB00A 功能描述:IC FLASH 512MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ TE600B12RJ TE600B150RJ TE600B15RJ TE600B180RJ TE600B18RJ TE600B1K0J TE600B1K2J TE600B1K5J TE600B1K8J TE600B1R0J TE600B1R2J TE600B1R5J TE600B1R8J TE600B220RJ TE600B22RJ TE600B270RJ TE600B27RJ TE600B2R2J