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TPS1191RB-1-TR

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TPS1191RB-1-TR 技術(shù)參數(shù)
  • TPS1120DR 功能描述:MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:15V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.17A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5.45nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:840mW 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 TPS1120D 功能描述:MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:15V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.17A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5.45nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:840mW 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 TPS1101PWR 功能描述:MOSFET P-CH 15V 2.18A 16-TSSOP 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:15V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.18A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:11.25nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:710mW 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:16-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 TPS1101D 功能描述:MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:15V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.3A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:11.25nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:791mW 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 TPS1100PWR 功能描述:MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:15V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.27A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5.45nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:504mW 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 TPS2000CDGN TPS2000CDGNR TPS2001CDGK TPS2001CDGKR TPS2001CDGN TPS2001CDGNEVM-635 TPS2001CDGNR TPS2001DDBVR TPS2001DDBVT TPS2001DDGK TPS2001DDGKR TPS2002CDRCR TPS2002CDRCT TPS2003CDRCR TPS2003CDRCT TPS2003CEVM-016 TPS2010AD TPS2010ADG4
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