您好,歡迎來到買賣IC網 登錄 | 免費注冊
您現在的位置:買賣IC網 > V字母型號搜索 > V字母第3002頁 >

VLF252010MT-R68N

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • VLF252010MT-R68N
    VLF252010MT-R68N

    VLF252010MT-R68N

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • TDK Corporation

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百正品

  • VLF252010MT-R68N
    VLF252010MT-R68N

    VLF252010MT-R68N

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • TDK

  • SMD

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • 1/1頁 40條/頁 共8條 
  • 1
VLF252010MT-R68N PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • TDK
  • 制造商全稱
  • TDK Electronics
  • 功能描述
  • Inductors for Power Circuits Wound Ferrite
VLF252010MT-R68N 技術參數
  • VLF252010MT-R47N-CA 功能描述:470nH Shielded Wirewound Inductor 3.35A 29 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLF-M-CA 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:470nH 容差:±30% 額定電流:3.35A 電流 - 飽和值:2.04A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):29 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 VLF252010MT-R47N 功能描述:470nH Shielded Wirewound Inductor 3.35A 29 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLF-M 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:470nH 容差:±30% 額定電流:3.35A 電流 - 飽和值:1.84A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):29 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 VLF252010MT-6R8M-CA 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor 850mA 360 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLF-M-CA 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:6.8μH 容差:±20% 額定電流:850mA 電流 - 飽和值:530mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):360 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 VLF252010MT-6R8M 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor 850mA 360 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLF-M 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:6.8μH 容差:±20% 額定電流:850mA 電流 - 飽和值:470mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):360 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 VLF252010MT-4R7M-CA 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 950mA 300 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLF-M-CA 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:950mA 電流 - 飽和值:640mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):300 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 VLF252012MT-220M VLF252012MT-220M-CA VLF252012MT-2R2M VLF252012MT-2R2M-CA VLF252012MT-3R3M VLF252012MT-3R3M-CA VLF252012MT-4R7M VLF252012MT-4R7M-CA VLF252012MT-6R8M VLF252012MT-6R8M-CA VLF252012MT-R47N VLF252012MT-R47N-CA VLF252012MT-R68N VLF252012MT-R68N-CA VLF252015MT-100M VLF252015MT-100M-CA VLF252015MT-150M VLF252015MT-150M-CA
配單專家

在采購VLF252010MT-R68N進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規(guī)避購買VLF252010MT-R68N產品風險,建議您在購買VLF252010MT-R68N相關產品前務必確認供應商資質及產品質量。

免責聲明:以上所展示的VLF252010MT-R68N信息由會員自行提供,VLF252010MT-R68N內容的真實性、準確性和合法性由發(fā)布會員負責。買賣IC網不承擔任何責任。

買賣IC網 (beike2008.cn) 版權所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術有限公司 | 粵公網安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號