VO2223A

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2/2頁 40條/頁共44條
上一頁 1 2

您是不是要找： VO2223A-X001 VO2223A-X007T VO2223-X001 VO222AT VO2231500000G VO22315000J0G VO2231510000G VO22315100J0G VO2232500000G

VO2223A PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

VO2223A PDF下載

功能描述
三極與 SCR 輸出光電耦合器 1 A, DIP-8 package 10-mA input trig crt
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
輸出設(shè)備
PhotoTriac
每芯片的通道數(shù)量
絕緣電壓
3750 Vrms
正向電流
10 mA
正向電壓
1.2 V
最大觸發(fā)電流
10 mA
關(guān)斷狀態(tài)下輸出電壓-VDRM
600 V
最大連續(xù)輸出電流
零交叉電路
封裝
Reel

VO2223A 技術(shù)參數(shù)

VO2223 功能描述:Optoisolator Triac, Power Output 5300Vrms 1 Channel 8-DIP 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效輸出類型:Triac，功率過零電路:無通道數(shù):1 電壓 - 隔離:5300Vrms 電壓 - 斷態(tài):600V 靜態(tài) dV/dt（最小值）:210V/μs（標準）電流 - LED 觸發(fā)器（Ift）（最大值）:10mA 電流 - 通態(tài)（It（RMS））（最大值）:900mA 電流 - 保持（Ih）:25mA 接通時間:- 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V（最大）電流 - DC 正向（If）:50mA 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm），7 引線供應(yīng)商器件封裝:8-DIP 認可:cUR，UR 標準包裝:2,000 VO0611T 功能描述:Logic Output Optoisolator 10MBd Open Drain 4000Vrms 1 Channel 15kV/μs CMTI 8-SOIC 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) 通道數(shù):1 輸入 - 輸入側(cè) 1/輸入側(cè) 2:1/0 電壓 - 隔離:4000Vrms 共模瞬態(tài)抗擾度（最小值）:15kV/μs 輸入類型:DC 輸出類型:開路漏極電流 - 輸出/通道:50mA 數(shù)據(jù)速率:10MBd 傳播延遲 tpLH / tpHL（最大值）:100ns，100ns 上升/下降時間（典型值）:23ns，7ns 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.4V 電流 - DC 正向（If）:20mA 電壓 - 電源:4.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 100°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 VO0601T 功能描述:Logic Output Optoisolator 10MBd Open Drain 4000Vrms 1 Channel 5kV/μs CMTI 8-SOIC 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效通道數(shù):1 輸入 - 輸入側(cè) 1/輸入側(cè) 2:1/0 電壓 - 隔離:4000Vrms 共模瞬態(tài)抗擾度（最小值）:5kV/μs 輸入類型:DC 輸出類型:開路漏極電流 - 輸出/通道:50mA 數(shù)據(jù)速率:10MBd 傳播延遲 tpLH / tpHL（最大值）:100ns，100ns 上升/下降時間（典型值）:23ns，7ns 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.4V 電流 - DC 正向（If）:60mA 電壓 - 電源:4.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 100°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 VNW50N04 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 50A OmniFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VNW100N04 功能描述:MOSFET N-Ch 100V 42A Omni RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VO22325000J0G VO2232510000G VO22325100J0G VO223AT VO2411500000G VO24115000J0G VO2411510000G VO24115100J0G VO2412500000G VO24125000J0G VO2412510000G VO24125100J0G VO2431500000G VO24315000J0G VO2431510000G VO24315100J0G VO2432500000G VO24325000J0G