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參數(shù)資料
| 型號： | NE850R599A |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | C-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET |
| 中文描述： | C波段中功率GaAs MESFET器件 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 19K |
| 代理商： | NE850R599A |
FEATURES
HIGH OUTPUT POWER:
0.5 W
HIGH LINEAR GAIN:
9.5 dB
HIGH EFFICIENCY (PAE):
38%
SUPERIOR INTERMODULATION DISTORTION
INDUSTRY STANDARD PACKAGING
California Eastern Laboratories
C-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET
DESCRIPTION
The NE850R599A is a medium power GaAs MESFET de-
signed for up to a 1/2W output stage or as a driver for higher
power devices. The device has no internal matching and can
be used at frequencies from UHF to 8.5 GH
Z
. Equivalent
performance in a chip package can be obtained by using only
1 cell of the NE8500100 chip. The chips used in this series
offer superior reliability and consistent performance for which
NEC microwave semiconductors are known.
SYMBOLS
V
DS
T
CH
G
COMP
R
G
PARAMETERS
Drain to Source Voltage
Channel Temperature
Gain Compression
Gate Resistance
UNITS MIN
V
°
C
dB
K
TYP
MAX
10
130
3.0
1
9
RECOMMENDED OPERATING LIMITS
NE850R599A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25
°
C)
PART NUMBER
PACKAGE OUTLINE
CHARACTERISTICS
NE850R599A
99
TYP
SYMBOLS
UNITS
MIN
MAX
TEST CONDITIONS
P
OUT
Power Out at Fixed Input Power
dBm
25.5
26.5
P
IN
= 18.5 dBm
1
η
ADD
Power Added Efficiency
%
38
V
DS
= 10 V; I
DSQ
= 100 mA
I
DS
Drain Source Current
A
140
f = 7.2 GHz; R
G
= 1 K
I
GS
Gate to Source Current
mA
-1.6
1.6
G
L
Linear Gain
dB
9.5
P
IN
= 7 dBm
2
I
DSS
Saturated Drain Current
mA
220
430
V
DS
= 2.5 V; V
GS
= 0 V
V
P
Pinch-off Voltage
V
-3.0
-1.0
V
DS
= 2.5 V; I
DS
= 2 mA
g
m
Transconductance
mS
150
V
DS
= 2.5 V; I
DS
= I
DSS
R
TH
Thermal Resistance (channel to case)
°
C/W
60
F
C
E
C
s
PACKAGE OUTLINE 99
OUTLINE DIMENSIONS
(Units in mm)
4.0 MIN BOTH LEADS
1.0
±
0.1
φ
2.2
±
0.2
4.0
±
0.1
4.3
±
0.2
5.2
±
0.1
11.0
±
0.15
15.0
±
0.3
0.6
±
0.1
0.2 MAX
1.7
±
0.15
6.0
±
0.2
1.2
5.0 MAX
5.2
±
0.3
+.06
-.02
Gate
Drain
Source
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NEA0151330SP-XC | Non-Isolated 15A SIP/SMT DC/DC Converters |
| NEA0151330B0-XC | Non-Isolated 15A SIP/SMT DC/DC Converters |
| NEA0151330BP-XC | Non-Isolated 15A SIP/SMT DC/DC Converters |
| NEA0151330S0-XC | Non-Isolated 15A SIP/SMT DC/DC Converters |
| NEA0151331B0-XC | Non-Isolated 15A SIP/SMT DC/DC Converters |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE851M03 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Low Volt Osc RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE851M03-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Low Volt Osc RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE851M03-T1 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Low Volt Osc RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE851M03-T1-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Low Volt Osc RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE851M13 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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