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參數(shù)資料
| 型號： | W9864G6GB-6I |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA60 |
| 封裝： | 6.40 X 10.10 MM, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 31/44頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 代理商： | W9864G6GB-6I |
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W9864G6GB
Publication Release Date: Aug. 13, 2007
- 37 -
Revision A05
11.15 Auto-precharge Timing (Write Cycle)
Act
01
3
2
(1) CAS Latency = 2
(a) burst length = 1
DQ
45
7
68
9
11
10
Write
D0
Act
AP
Command
(b) burst length = 2
DQ
Write
D0
Act
AP
Command
tRP
D1
(c) burst length = 4
DQ
Write
D0
Act
AP
Command
tRP
D1
(d) burst length = 8
DQ
Write
D0
Act
AP
Command
tRP
D1
D2
D3
D2
D3
D4
D5
D6
D7
(2) CAS Latency = 3
(a) burst length = 1
DQ
Write
D0
Act
AP
Command
(b) burst length = 2
DQ
Write
D0
Act
AP
Command
tRP
D1
(c) burst length = 4
DQ
Write
D0
Act
AP
Command
tRP
D1
(d) burst length = 8
DQ
Write
D0
AP
Command
tRP
D1
D2
D3
D2
D3
D4
D5
D6
D7
tWR
12
Act
represents the Write with Auto precharge command.
represents the start of internal precharing.
represents the Bank Active command.
Write
AP
Act
When the /auto precharge command is asserted,the period from Bank Activate
command to the start of intermal precgarging must be at least tRAS (min).
Note )
CLK
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WE256K32-250G2TMEA | 256K X 32 EEPROM 5V MODULE, 250 ns, CQFP68 |
| WE256K32-200G2TCE | 256K X 32 EEPROM 5V MODULE, 200 ns, CQFP68 |
| WE256K32-300G2TIE | 256K X 32 EEPROM 5V MODULE, 300 ns, CQFP68 |
| WE256K32-150G2TCEA | 256K X 32 EEPROM 5V MODULE, 150 ns, CQFP68 |
| WE256K32-200G2TIEA | 256K X 32 EEPROM 5V MODULE, 200 ns, CQFP68 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W9864G6GH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 16 BITS SDRAM |
| W9864G6GH-5 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 16 BITS SDRAM |
| W9864G6GH-6 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:4*16BIT SDRAM |
| W9864G6GH-6I | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 16 BITS SDRAM |
| W9864G6GH-7 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:64M 3.3V SDRAM 4M X 16 |
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