參數(shù)資料
型號(hào)： μPA828TF
廠商： NEC Corp.
英文描述： High-Frequecy Low-Noise Amplifier NPN Transistor(高頻低噪聲放大器NPN晶體管)
中文描述： 高Frequecy低噪聲放大器NPN晶體管（高頻低噪聲放大器npn型晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 1/20頁(yè)
文件大小： 92K
代理商： ΜPA828TF
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SILICON TRANSISTOR
P
PA828TF
HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFIER
NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
(WITH BUILT-IN 6-PIN 2
u
2SC5184) THIN-TYPE SMALL MINI MOLD
1997
Document No. P12693EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published July 1997 N
Printed in Japan
PRELIMINARY DATA SHEET
PIN CONFIGURATION (Top View)
FEATURES
Low noise
NF = 1.3 dB TYP. @ V
CE
= 2 V, I
C
= 3 mA, f = 2 GHz
NF = 1.3 dB TYP. @ V
CE
= 1 V, I
C
= 3 mA, f = 2 GHz
6-pin thin-type small mini mold package adopted
Built-in 2 transistors (2
u
2SC5184)
ORDERING INFORMATION
Part Number
Quantity
Packing Style
P
PA828TF
Loose products
(50 pcs)
P
PA828TF-T1
Taping products
(3 kpcs/reel)
Remark
If you require an evaluation sample, please contact
an NEC Sales Representative (Unit sample quantity
is 50 pcs).
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25
q
C)
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector to Base Voltage
V
CBO
5
V
Collector to Emitter Voltage
V
CEO
3
V
Emitter to Base Voltage
V
EBO
2
V
Collector Current
I
C
30
mA
Total Power Dissipation
P
T
90 in 1 element
180 in 2 elements
mW
Junction Temperature
T
j
150
°C
Storage Temperature
T
stg
e
65 to +150
°C
Caution is required concerning excess input, such as from static electricity, due to the high-precision
fabrication processes used for this device.
Embossed tape 8 mm wide.
Pin 6 (Q1 Base), Pin 5 (Q2
Emitter), Pin 4 (Q2 Base) face to
perforation side of the tape.
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)
B1
Q1
Q2
6
5
4
3
2
1
E2
B2
C1
E1
C2
PIN CONNECTIONS
1. Collector(Q1)
2. Emitter
3. Collector (Q2)
(Q1)
4. Base (Q2)
5. Emitter (Q2)
6. Base (Q1)
R
2
1
0
0
0
0
3
2
1
4
5
6
0
2.10±0.1
1.25±0.1
0
0
+
–
相關(guān)PDF資料
PDF描述
μPA831TC NPN Silicon RF Twin Transistor(NPN射頻晶體管)
μPA832TF NPN Silicon Epitaxial Transisitor(NPN外延晶體管)
μPA833TF NPN Silicon Epitaxial Transisitor(NPN外延晶體管)
μPA834TF NPN Silicon Epitaxial Transisitor(NPN外延晶體管)
μPA840TC NPN Silicon RF Twin Transistor(NPN射頻晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PA82J 功能描述:運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放 Linear Op-Amp 150V .03A .015A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道數(shù)量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 輸入補(bǔ)償電壓:1 mV 輸入偏流（最大值）:10 pA 工作電源電壓:2.7 V to 5.5 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 轉(zhuǎn)換速度:0.89 V/us 關(guān)閉:No 輸出電流:55 mA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Reel
PA82Q 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:Voltage-Feedback Operational Amplifier
PA83 功能描述:運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放 Linear Op-AMp 300V .075A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道數(shù)量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 輸入補(bǔ)償電壓:1 mV 輸入偏流（最大值）:10 pA 工作電源電壓:2.7 V to 5.5 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 轉(zhuǎn)換速度:0.89 V/us 關(guān)閉:No 輸出電流:55 mA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Reel
PA83A 功能描述:運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放 Linear OpAmp, 300V .075A "A" Grade RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道數(shù)量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 輸入補(bǔ)償電壓:1 mV 輸入偏流（最大值）:10 pA 工作電源電壓:2.7 V to 5.5 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 轉(zhuǎn)換速度:0.89 V/us 關(guān)閉:No 輸出電流:55 mA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Reel
PA83M 功能描述:運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放 Linear OpAmp 300V .075A "M" Grade RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道數(shù)量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 輸入補(bǔ)償電壓:1 mV 輸入偏流（最大值）:10 pA 工作電源電壓:2.7 V to 5.5 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 轉(zhuǎn)換速度:0.89 V/us 關(guān)閉:No 輸出電流:55 mA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Reel
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