1N5619GP-E3/73

配單專家企業(yè)名單

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說明
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功能描述
DIODE GEN PURP 600V 1A DO201AD
制造商
vishay semiconductor diodes division
系列
汽車級，AEC-Q101
包裝
帶盒（TB）
零件狀態(tài)
有效
二極管類型
標(biāo)準(zhǔn)
電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）
600V
電流 - 平均整流（Io）
1A
不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）
1.2V @ 1A
速度
快速恢復(fù) = 200mA（Io）
反向恢復(fù)時(shí)間（trr）
250ns
不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流
500nA @ 600V
不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容
25pF @ 4V，1MHz
安裝類型
通孔
封裝/外殼
DO-201AD，軸向
供應(yīng)商器件封裝
DO-201AD
工作溫度 - 結(jié)
-65°C ~ 175°C
標(biāo)準(zhǔn)包裝
2,000

1N5619GP-E3/73 技術(shù)參數(shù)

1N5619GP-E3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:250ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AC，DO-15，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AC（DO-15）工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5619 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.6V @ 3A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:250ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:25pF @ 12V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5618US 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A D5A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:2μs 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應(yīng)商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 200°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5618GPHE3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:2μs 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:25pF @ 12V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AC，DO-15，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AC（DO-15）工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 1N5618GP-E3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:2μs 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:25pF @ 12V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AC，DO-15，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AC（DO-15）工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5621GP-E3/73 1N5621GPHE3/54 1N5621US 1N5622 1N5622C.TR 1N5622GP-E3/54 1N5622GP-E3/73 1N5622US 1N5623 1N5623GP-E3/54 1N5623GPHE3/54 1N5623US 1N5624GP-E3/54 1N5624GP-E3/73 1N5624GPHE3/54 1N5624-TAP 1N5624-TR 1N5625GP-E3/54