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1N6010B_T50A

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功能描述
穩(wěn)壓二極管 Zener Diode
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齊納電壓
12 V
電壓容差
5 %
電壓溫度系數(shù)
0.075 % / K
齊納電流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄電流
3 uA
最大齊納阻抗
7 Ohms
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DO-214AC
封裝
Reel

1N6010B_T50A 技術(shù)參數(shù)

1N6010B 功能描述:DIODE ZENER 27V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:70 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 21V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6010A 功能描述:DIODE ZENER 27V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:27V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:88 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 17V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6009UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6009UR 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6009D 功能描述:DIODE ZENER 24V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:24V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:62 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 18V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6011B-TP 1N6011C 1N6011D 1N6011UR 1N6011UR-1 1N6012A 1N6012B 1N6012B BK 1N6012B_T50A 1N6012B_T50R 1N6012B-TP 1N6012C 1N6012D 1N6012UR 1N6012UR-1 1N6013A 1N6013B 1N6013B BK