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1N6075US

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ULTRA FAST RECOVERY RECTFR 150V 3A 2PIN D-5A - Bulk
1N6075US 技術參數(shù)
  • 1N6075 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 850MA AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):150V 電流 - 平均整流(Io):850mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):2.04V @ 9.4A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 150V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A,軸向 供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 155°C 標準包裝:1 1N6074US 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 3A D5A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):2.04V @ 9.4A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 100V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,A 供應商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 155°C 標準包裝:1 1N6074 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 850MA AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):850mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):2.04V @ 9.4A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 100V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A,軸向 供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 155°C 標準包裝:1 1N6073US 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 3A D5A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):2.04V @ 9.4A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 50V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,A 供應商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 155°C 標準包裝:1 1N6073 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):850mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):2.04V @ 9.4A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 50V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A,軸向 供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 155°C 標準包裝:1 1N6080US 1N6081 1N6081US 1N6095 1N6095R 1N6096 1N6096R 1N6097 1N6097R 1N6098 1N6098R 1N6100 1N6101 1N6102 1N6102A 1N6102AUS 1N6102US 1N6103
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