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1N6078

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  • 天陽誠(chéng)業(yè)科貿(mào)有限公司
    天陽誠(chéng)業(yè)科貿(mào)有限公司

    聯(lián)系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈503

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 100

  • SEMTECH

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  • 現(xiàn)貨常備產(chǎn)品原裝可到京北通宇商城查價(jià)格h...

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  • 深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
    深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13305449939

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3031號(hào)漢國(guó)中心3204室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

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  • 1N6078
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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:13355446829

    地址:中國(guó)上海

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ULTRA FAST RECOVERY RECTFR 150V 6A 2PIN E - Bulk
1N6078 技術(shù)參數(shù)
  • 1N6077US 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 6A D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.76V @ 18.8A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):30ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,E 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 155°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6077 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1.3A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):1.3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.76V @ 18.8A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):30ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A,軸向 供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 155°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6076US 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 6A D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.76V @ 18.8A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):30ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,E 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 155°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6076 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):1.3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.76V @ 18.8A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):30ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A,軸向 供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 155°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6075US 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 3A D5A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):150V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):2.04V @ 9.4A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):30ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 150V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,A 供應(yīng)商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 155°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6096 1N6096R 1N6097 1N6097R 1N6098 1N6098R 1N6100 1N6101 1N6102 1N6102A 1N6102AUS 1N6102US 1N6103 1N6103A 1N6103AUS 1N6103US 1N6104 1N6104A
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