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1N6628US/TR

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  • 1N6628US/TR
    1N6628US/TR

    1N6628US/TR

  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/韓先生

    電話：010-86398446-8061581080972213911315253

    地址：北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號樓603室

  • 330

  • MICROCHIP

  • N/A ㊣品

  • N/A 原裝進口

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  • 功能描述
  • UFR,FRR
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • -
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 二極管類型
  • 標準
  • 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）
  • 600V
  • 電流 - 平均整流（Io）
  • 2.3A
  • 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf
  • 1.5V @ 4A
  • 速度
  • 快速恢復 = 200mA（Io）
  • 反向恢復時間（trr）
  • 45ns
  • 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
  • 2μA @ 600V
  • 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容
  • 40pF @ 10V，1MHz
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • SQ-MELF，E
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • D-5B
  • 工作溫度 - 結(jié)
  • -65°C ~ 150°C
  • 標準包裝
  • 100
1N6628US/TR 技術(shù)參數(shù)
  • 1N6628US 功能描述:DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:660V 電流 - 平均整流（Io）:1.75A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.35V @ 2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 660V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:40pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應(yīng)商器件封裝:A-MELF 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N6628 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1.75A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1.75A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.35V @ 2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:45ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A，軸向 供應(yīng)商器件封裝:A-PAK 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標準包裝:500 1N6627US 功能描述:DIODE GEN PURP 440V 1.75A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:440V 電流 - 平均整流（Io）:1.75A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.35V @ 2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 440V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:40pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應(yīng)商器件封裝:A-MELF 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N6627 功能描述:DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:440V 電流 - 平均整流（Io）:1.75A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.35V @ 2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 440V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:40pF @ 10V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A，軸向 供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N6626US 功能描述:DIODE GEN PURP 220V 1.75A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:220V 電流 - 平均整流（Io）:1.75A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.35V @ 2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 220V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:40pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應(yīng)商器件封裝:A-MELF 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N6633US 1N6634 1N6634US 1N6635 1N6635US 1N6636 1N6636US 1N6637 1N6637US 1N6638 1N6638US 1N6638US/TR 1N6639US 1N6640US 1N6642 1N6642U 1N6642US 1N6642US/TR
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