參數(shù)資料
型號: 10ETS08STRR
元件分類: 整流器
英文描述: 10 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝: SMD-220, D2PAK-3
文件頁數(shù): 3/7頁
文件大小: 162K
代理商: 10ETS08STRR
3
Bulletin I2121 rev. C 12/01
10ETS.., 10ETS..S SAFE
IR Series
www.irf.com
Fig. 1 - Current Rating Characteristics
Fig. 2 - Current Rating Characteristics
Fig. 3 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 4 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 5 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Fig. 6 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
80
90
100
110
120
130
140
150
02
46
8
1 0
1 2
30
60
90
120
180
M
a
x
imu
m
A
llo
wa
b
le
C
a
se
T
e
mp
e
ra
tu
re
(
C
)
Co n ductio n A ng le
Ave ra g e Fo rw a rd C urrent (A )
10ET S.. Se rie s
R
(D C ) = 2.5 C /W
thJ C
90
100
110
120
130
140
150
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
DC
30
60
90
120
180
M
a
x
imu
m
A
llo
w
a
b
le
C
a
se
T
e
mp
e
ra
tu
re
(
C
)
C ond uc tion Period
A ve rag e Forw ard C urre n t (A)
10ETS.. Se ries
R
(D C ) = 2.5 C / W
thJC
0
2
4
6
8
10
12
14
16
02
4
6
8
10
RM S Lim it
180
120
90
60
30
Co nd u ctio n Ang le
A verag e Fo rw a rd C urren t (A )
M
a
xi
m
u
m
A
v
er
a
g
e
F
o
rw
a
rd
P
o
w
e
rL
o
ss
(
W
)
10ET S.. Se rie s
T = 150 C
J
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
2
4
6
8
10
12
14
16
DC
180
120
90
60
30
RM S Lim it
C o nd uc tion P eriod
A ve rag e Fo rw ard C u rre n t (A )
Ma
x
im
u
m
A
v
e
ra
g
e
F
o
rw
a
rd
P
o
w
e
r
Lo
ss
(
W
)
10E TS.. Se rie s
T = 150 C
J
40
60
80
100
120
140
160
180
200
110
100
N u m b er O f E q u al A m p litu d e Half C y cle Cu rren t Pu lses (N )
P
e
ak
Hal
fS
in
e
W
a
v
e
F
o
rw
ar
d
C
u
rr
e
n
t(
A
)
In itia l T = 150 C
@ 60 H z 0.0083 s
@ 50 H z 0.0100 s
J
10E TS.. Se rie s
At A n y Ra te d Lo a d C o n d ition And W ith
R a ted V
A p p lie d Fo llo w ing Surg e .
RRM
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
0.01
0 .1
1
Pu lse Tra in D u ra tion (s)
P
e
ak
Hal
fS
in
e
W
a
v
e
F
o
rw
ar
d
C
u
rr
e
n
t(
A
)
10ETS.. Se rie s
V e rsu s P u lse Tra in D u ra tio n .
M a xim um N o n R e p etitive S urg e C urre n t
In itia l T = 150 C
N o V o ltag e R e ap plie d
Ra te d V
R e ap p lie d
RR M
J
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N5818H02-4 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
1N5818U01 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
1N5822H32-1 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
1F6-F 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE
1N4937U06 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
10ETS08STRRPBF 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Input Rectifier Diode, 10 A
10ETS10 功能描述:整流器 1000 Volt 10 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
10ETS10S 功能描述:整流器 1000 Volt 10 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
10ETS10SPBF 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Input Rectifier Diode, 10 A
10ETS10STRL 功能描述:整流器 10 Amp 1000 Volt 200 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel